2020-05-27 15:45 来源:融100 编辑:融仔
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第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。其中碳化硅材料在功率半导体和器件工艺较为热门,氮化镓材料外延生长和光电子比重较大。第三代半导体相关专利申请自2000年以来快速增长,美国早期领衔全球专利增长,近些年我国的申请量快速增长,超越美国。
国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件,随着国内多家企业开始重视该领域,积极布局相关项目,我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。
市场空间有多大?
国泰君安认为,从全产业链角度,以5年的维度来看,第三代半导体器件和系统的成本(包括后期运行期间的能耗节省),比硅基器件和系统将会具备性价比优势,从而快速地推动行业的发展。单从材料本身的成本来讲,碳化硅氮化镓不太可能和硅片形成竞争。
兴业证券认为,光伏、半导体成长性明确,先进碳基材料渗透率有望提升。随着5G和物联网等应用快速发展,对硅晶圆整体需求快速提升,全球新一轮半导体资本开支启动,自主可控有望打开关键设备、材料端的国产替代空间。光伏和半导体产业硅片大尺寸化趋势明确,对强度、纯度、导热系数等指标提出了更高的要求,传统石墨材料安全性、经济性不足,先进碳基复合材料有望逐步对其替代,渗透率提升,成为光伏、半导体产业晶硅制造热场系统部件主流材料。
天风证券认为,碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势,是下一代功率器件的发展方向。受高效电源、电动汽车等行业的需求驱动,碳化硅功率器件未来市场容量将以超过30%的年复合增长率发展,预计2027年市场容量达到120亿美元。
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