国盛证券：拉姆研究(LRCX.US)利润超出指引高点 3D NAND设备需求扩张

　　一、核心观点

　　1。公司EPS超过指引高点，营收超过上季度提供的指引中点。2019年6月当季的营收为23.61亿美元，环比下降3.19%，同比下降24.47%，但仍好于因内存芯片供应过剩而下调的预期，主要原因是PC端市场疲软，抵消3D NAND扩张带来的积极影响。当季毛利为10.81亿美元，毛为45.8%，环比上升1.75pct。运营费用为4.64亿美元，运营收入为营收的26.1%，摊薄后每股收益为3.51美元。公司实现季度5.42亿美元，同比下降47%，环比下降1%。净为22.95%，环比上升0.51pct。每股收益为3.62美元，高于我们6月当季的指导区间，这一增长主要是由毛利率上升和运营费用低于预期推动的。

　　2。存储业务小幅上升，晶圆代工业务势头强劲。从业务结构上看，存储业务收入占总收入的比例从3月份的61%小幅上升至64%。非易失性存储部分从3月份的第一季度增长了40%到46%，而DRAM从21%下降到18%。存储收益仍然主要用于与制程转换的相关投资，DRAM支出主要用于1y及初始1z投资，NAND主要用于转换到9x层设备。此外，晶圆代工部门的支出状况良好，3月份的季度收入占系统收入的23%，主要集中在5nm和7nm节点上，与上一季度的27%比略有下降，但仍很强劲。逻辑和其他业务与上一季度持平，占系统收入的13%。

　　3.NAND方面：公司不断投入研发，在3D Scaling的领先能力将随着逻辑设备转移到3nm结构的3D gate，新的存储如PC RAM垂直成本规模和密度提高，以及3D采用异质整合作为高性能系统解决方案的首要包装选择而日益凸显。同时，LAM在NAND半临界流程空间通过不断提升相关生产力获得市场份额，在最近季度中，通过创建一个高效的、单一步骤的蚀刻过程来替代竞争对手的多步骤方法，使其能够在系统吞吐量上进行区分，成为半临界空间的关键决策因素；同时，LAM的电介质蚀刻系统拥有更快的S速率和优越的剖面控制，实现更高的资本生产率和更少的维护频率，为公司增加核心竞争力。

　　4。长期而言，EUV光刻技术的出现对公司有好处。EUV光刻技术是解决成本效益扩展的一部分，而成本效益扩展是新技术节点所需要的，新节点为LAM创建SAM扩展机会，公司可以更有效地利用蚀刻和沉积赢得新位置。由于EUV多种模式增长速度有限，同时EUV被引入的速度与生产力有很大关系，LAM在利用蚀刻和沉积技术帮助改进方面可以发挥重要作用，可以从整体上提高制版模块的生产效率，公司正与ASML合作为蚀刻和沉积创造新机会，使其成为备受关注的潜力发展领域。

　　二、经营情况

　　1。 营收情况(Q4FY2019)

　　根据美国公认会计准则(GAAP)，LAM2019年6月当季的营收为23.61亿美元，环比下降3.19%，同比下降24.47%，但仍好于因内存芯片供应过剩而下调的预期，主要原因是PC端市场疲软，抵消3D NAND扩张带来的积极影响。当季毛利为10.81亿美元，毛利率为45.8%，环比上升1.75pct。运营费用为4.64亿美元，运营收入为营收的26.1%，摊薄后每股收益为3.51美元。

　　公司实现季度净利润5.42亿美元，同比下降47%，环比下降1%。净利率为22.95%，环比上升0.51pct。

图表：主营业务收入以及增长率(百万美元)

资料来源：，国盛证券研究所

图表：毛利及毛利率(百万美元)

资料来源：公司，国盛证券研究所

图表：净利及净利率(百万美元)

资料来源：公司公告，国盛证券研究所

　　2。季度收入结构

　　- 按地区分，公司季度收入结构为中国(33%)、韩国(25%)、台湾(14%)、美国(11%)、日本(9%)、东南亚(5%)及欧洲(3%)。

图表：季度收入结构(按地区分)

资料来源：公司公告，国盛证券研究所